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2013年04月25日


 

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荊鳳德(Chin, Feng-Der Albert)講座教授  

  

 

荊鳳德博士為國立交通大學特聘教授,於1989年畢業於密西根大學電機工程系,並任職於AT&T貝爾實驗室、奇異公司General Electric電子實驗室、德州儀器Texas Instruments VLSI部門、國立新加坡大學客座教授、台灣奈米電子協會副主任、國立交通大學鑽石計畫副執行長及跨領域研究中心副主任

 

荊教授是國際「高介電氧化層」電晶體(high-κ CMOS)的先驅,此創新電晶體可大幅改善直流漏電與功率損耗(DC power consumption),目前已應用於全球IC廠如IntelIBMSamsungTSMCGlobal Foundries等。他並發明無缺陷絕緣鍺(defect-free Ge-on-Insulator)用來提高電晶體電子遷移率及降低IC「直流功率損耗」,發明3D-IC來降低電路「交流功率消耗」(AC switching power)與增加IC微縮,諧振腔光電探測器來增高頻寬,與高電子遷移率應變補償電晶體(strain-compensated InGaAs FET)。荊教授同時也是high-κ快閃記憶體、超低功率電阻式記憶體的先驅,他發明的高介電層氧化鈦/氧化鋯和鎳電極已用於DRAM元件製程。荊教授其他貢獻為矽基板上之高性能射頻電感、sub-THz (>100 GHz)濾波器和天線,其發明的非對稱 LDD MOSFET已用於高功率射頻IC荊教授的研究領域包括:下世代奈米綠能電晶體、高功率車用電子元件(Semiconductor Today報導http://www.semiconductor-today.com/)、量子快閃記憶體、太陽能電池、射頻元件、RF IC設計。

 

荊教授目前已出版超過400篇學術論文,其中有7篇為高引用文(前1%的科學引用指標)。其發表的high-κ電晶體、鍺電晶體、非揮發性記憶體、DRAM電容和射頻元件等相關論文,多次受「國際半導體技術藍圖」http://www.itrs.net/所引用。他曾受邀請演講於「國際電子元件會議」IEDM http://www.his.com/~iedm/、美歐日韓主要的電子元件會議及公司(IBMSanDiskToshiba、三星電子等),曾擔任Invited Panelist於第62th Device Research Conference, Si Nanoelectronics Workshop, New channel MOSFET workshop

 

荊教授並擔任IEEE特聘講師、IEEE Electron Device letters編輯、「國際電子元件會議」IEDM執行委員、國科會傑出研究獎等多項成就、受國際著名之「紐約時報」The New York Times所訪問報導。由於荊教授在「高介電氧化層」電晶體(high-κ gate dielectric and metal-gate CMOS)上的貢獻,獲頒IEEE Fellow

  

<>  合作計畫

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Ultra-low switching energy CMOS & Flash Memory (超低工作能量CMOS及快閃記憶體)

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Green Nano Electronic Devices (綠能電子元件)

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High power GaN MOSFET (高功率車用電子元件)

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Tera-Hz Circuit Design (1000GHz IC設計)

  

<>  聯絡方式

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新竹市大學路1001(No.1001, Dasyue Rd., Hsinchu City 300, Taiwan)

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工程四館館645室或633(實驗室)

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Tel: 03-573-1841  FAX: 03-572-4361     

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e-mail: achin@faculty.nctu.edu.tw

 

 

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